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메모리반도체 영향력 'UP'…SK하이닉스, 중국 우시 신공장 증설 '완료'
메모리반도체 영향력 'UP'…SK하이닉스, 중국 우시 신공장 증설 '완료'
  • 임서아 기자
  • 승인 2019.04.18 14:00
  • 7면
  • 댓글 0
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[아시아타임즈=임서아 기자] SK하이닉스가 중국에서의 반도체 시장 영향력 확대하는 동시에 미세공정 전환에 필요한 생산공간을 확보해 경쟁력을 강화하기 위해 추진했던 중국 우시 반도체 신공장이 본격적인 가동에 들어간다.

SK하이닉스는 18일 중국 우시에서 확장팹(C2F) 준공식을 현지에서 개최했다. 이날 준공식 행사에는 리샤오민(李小敏) 우시시 서기, 궈위엔창(郭元强) 강소성 부성장, 최영삼 상하이 총영사, 이석희 SK하이닉스 대표이사, 고객 및 협력사 대표 등 약 500명이 참석했다. 준공식은 '새로운 도약, 새로운 미래(芯的飞跃 芯的未来)'라는 주제로 열렸다.

이석희 SK하이닉스 CEO가 18일 중국 우시에서 열린 SK하이닉스 중국 우시 확장팹(C2F) 준공식에서 환영사를 하고 있다./SK하이닉스
이석희 SK하이닉스 CEO가 18일 중국 우시에서 열린 SK하이닉스 중국 우시 확장팹(C2F) 준공식에서 환영사를 하고 있다./SK하이닉스

SK하이닉스 관계자는 "C2F는 기존 D램 생산라인인 C2를 확장한 것으로 SK하이닉스는 미세공정 전환에 따른 생산공간 부족 문제를 해결하기 위해 지난 2016년 생산라인 확장을 결정했다"며 "C2F 준공을 통해 우시 팹의 중장기 경쟁력을 확보하게 됐으며 C2F는 기존 C2 공장과 '원 팹(One FAB)'으로 운영 함으로써 우시 팹의 생산·운영 효율을 극대화할 것"이라고 말했다.

SK하이닉스는 2004년 중국 장쑤(江蘇)성 우시시와 현지 공장 설립을 위한 계약을 체결하고 2006년 생산라인을 완공해 D램 생산을 시작했다. 당시 건설된 C2는SK하이닉스의 첫 300mm 팹(FAB)으로 현재까지 D램 생산의 절반을 담당하는 등 SK하이닉스 성장에 큰 역할을 담당해 왔다. 

하지만 공정 미세화에 따라 공정수가 늘고 장비 대형화로 공간이 부족해지면서 필요한 공간을 추가 확보해야하는 상황에 놓였다. SK하이닉스는 이 같은 상황을 보완하기 위해 2017년 6월부터 2019년 4월까지 총 9500억 원을 투입해 추가로 반도체 생산공간을 확보했다. 

이번에 준공한 C2F는 건축면적 5만8000㎡(1만7500평, 길이 316m, 폭 180m, 높이51m)의 단층 팹이다. 기존 C2 공장과 비슷한 규모다. SK하이닉스는 C2F의 일부 클린룸 공사를 완료하고 장비를 입고해 D램 생산을 시작했다. 향후 추가적인 클린룸 공사 및 장비입고 시기는 시황에 따라 탄력적으로 결정할 예정이다.

업계에선 SK하이닉스가 이번 중국 현지 생산 증대로 반도체 시장 경쟁력을 한층 더 강화할 것으로 분석하고 있다. 시장조사업체 D램익스체인지의 보고서를 보면 SK하이닉스의 작년 4분기 D램 시장점유율은 31.2%로 전 분기인 29.1%보다 늘었다. 특히 SK하이닉스의 경우 반도체 업체 가운데 가장 높은 성장률을 보이고 있다. 

다만 일각에선 SK하이닉스가 물량을 늘리면 D램 가격이 내려갈 것이란 우려도 있지만 SK하이닉스는 "시장 상황에 맞춰 대응하기 때문에 문제가 없을 것"이란 입장이다. D램과 낸드플래시의 가격은 올해 들어 모두 전 분기 대비 25% 이상 떨어지면서 반도체 가격 하락 폭이 예상보다 큰 상황이다.

반도체 가격이 급하락하면서 작년 최고 실적을 찍었던 SK하이닉스가 올해 1분기부터 신기록 행진에 제동이 걸렸다. SK하이닉스는 급변하는 시장에 성공적으로 대응할 수 있도록 앞으로도 선제적 투자 등 시의적절한 전략적 의사결정을 단행해 생산성과 경쟁력을 유지하면서 D램 산업 내 리더십도 지속 확보한다는 방침이다.   limsa0514@asiatime.co.kr


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